Sélection de la langue

Search

Sommaire du brevet 2286774 

Énoncé de désistement de responsabilité concernant l'information provenant de tiers

Une partie des informations de ce site Web a été fournie par des sources externes. Le gouvernement du Canada n'assume aucune responsabilité concernant la précision, l'actualité ou la fiabilité des informations fournies par les sources externes. Les utilisateurs qui désirent employer cette information devraient consulter directement la source des informations. Le contenu fourni par les sources externes n'est pas assujetti aux exigences sur les langues officielles, la protection des renseignements personnels et l'accessibilité.

Disponibilité de l'Abrégé et des Revendications

L'apparition de différences dans le texte et l'image des Revendications et de l'Abrégé dépend du moment auquel le document est publié. Les textes des Revendications et de l'Abrégé sont affichés :

  • lorsque la demande peut être examinée par le public;
  • lorsque le brevet est émis (délivrance).
(12) Demande de brevet: (11) CA 2286774
(54) Titre français: DISPOSITIF LASER
(54) Titre anglais: LASER DEVICE
Statut: Réputée abandonnée et au-delà du délai pour le rétablissement - en attente de la réponse à l’avis de communication rejetée
Données bibliographiques
(51) Classification internationale des brevets (CIB):
  • H01S 05/40 (2006.01)
  • H01S 05/062 (2006.01)
  • H01S 05/0625 (2006.01)
(72) Inventeurs :
  • MULLER, GUSTAV (Allemagne)
  • SCHLERETH, KARL-HEINZ (Allemagne)
  • ACKLIN, BRUNO (Allemagne)
  • LUFT, JOHANN (Allemagne)
(73) Titulaires :
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
(71) Demandeurs :
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT (Allemagne)
(74) Agent: SMART & BIGGAR LP
(74) Co-agent:
(45) Délivré:
(86) Date de dépôt PCT: 1998-04-14
(87) Mise à la disponibilité du public: 1998-10-29
Requête d'examen: 2001-03-21
Licence disponible: S.O.
Cédé au domaine public: S.O.
(25) Langue des documents déposés: Anglais

Traité de coopération en matière de brevets (PCT): Oui
(86) Numéro de la demande PCT: PCT/DE1998/001053
(87) Numéro de publication internationale PCT: DE1998001053
(85) Entrée nationale: 1999-10-15

(30) Données de priorité de la demande:
Numéro de la demande Pays / territoire Date
197 16 422.6 (Allemagne) 1997-04-18

Abrégés

Abrégé français

L'invention concerne un dispositif laser comportant au moins un réseau de diodes laser présentant une pluralité de diodes laser adjacentes. Ce dispositif laser comprend un résonateur externe permettant le couplage des modes des diodes laser individuelles.


Abrégé anglais


The invention relates to a laser device with at least one laser diode array
with a plurality of adjacently arranged laser diodes. The laser device has an
external resonator for coupling the modes of the individual laser diodes.

Revendications

Note : Les revendications sont présentées dans la langue officielle dans laquelle elles ont été soumises.


claims
1. A laser device
- having a linear array of laser diodes (1) which has a
plurality of incoherent laser diodes arranged next to one
another,
and
- having an external resonator, which has a passive planar
waveguide structure (6) for coupling the modes of the
individual laser diodes, the waveguide structure (6)
comprising curved single-mode waveguides (7) for mode
selection.
2. The laser device as claimed in claim 1, in which the laser
diodes are single-mode laser diodes.
3. The laser device as claimed in claim 1 or 2, in which the
passive planar waveguide structure (6) has branched single-mode
waveguides (7), and into which structure laser radiation
of the individual laser diodes can be coupled, said structure
combining this laser radiation into a smaller number than the
number of laser diodes, in particular into a single output
waveguide (4).
4. The laser device as claimed in claim 1, in which the laser
diodes are multimode laser diodes, in particular wide-stripe
lasers.
5. The laser device as claimed in claim 1 or 4, in which the
single-mode waveguides have, at the ends facing the linear
array of laser diodes (1), taper structures (5) which transfer
the laser radiation of the individual laser diodes into the
respectively assigned single-mode waveguide (7).

6. The laser device as claimed in claim 3 or 5, in which the
passive planar waveguide structure (6) has a binary branch
tree.
7. The laser device as claimed in claim 3 or 5, in which the
passive planar waveguide structure (6) has an N:1 branch.
8. The laser device as claimed in one of claim 3 or 5, to 8,
in which the output waveguide or waveguide (4) has or have a
DFB grating structure (9).
9. The laser device as claimed in one of claims 1 to 8, in
which the linear array of laser diodes (1) has power
semiconductor laser diodes.
10. The laser device as claimed in one of claims 1 to 9, in
which the passive planar waveguide structure (6) is assigned
at least one mode-selection device (11).
11. The laser device as claimed in claim 10, in which the
mode-selection device (11) is an absorbing structure.
-8-

Description

Note : Les descriptions sont présentées dans la langue officielle dans laquelle elles ont été soumises.


kCV BY = l O- 15-99 : ~ U : U~'_1~1 : ~ 51-9251 101 SA9ART X~ B I GGAK : # 2
c~. H'? ~ 1.~~5 p I=iLE, P~l-fP~ THiS AMENDED
.wT; ~J ga; o~, ~~~3 TRANSLATION
Ri~''E~I~:Eb ~$EE'a
Descrip~ior~.
La;ef device
'='a invrent,~,or~ relates t~~ a laser dev,~c~e :~aT~~nc at _east one
li=iear array cf !.aser diodes .
Laser diode z.r_rays are, for exøir;ple, K~owri f=om R.. ra;~l,
~Jpto~le~Yrp~u,:. Ser'u~~onduct~~_- Com.po:.ien4s. '~eubn.ez_
~tla~~~x SiCr'2'~tE=:'.,, ~-,.~ t?O.r~..~.0~1., G. a. Te'a~I:2~ Stll''t;~ar~
:l~~~i,
paged 2 ~: , ',? C ~; . S-~ch laser- d.ode az rGyS ac:~lieve h-~ fh radio.
ticn
pc.~we~s, :xigi-: r:wd~.a=ica dews~fiies and ef=ir~ienc,~es.
~'_>_ xnary applic.at_ons, fcr exarvple fox ,w~ateriai:3 prc~ces.sing or
for prir.ver apa:.a.ca~ions, powers of 10 'n7-1G k~r a4 pv~ae,r
dta:r.si.ties be~'h~een 0. 1 and 10 T~zw/c~.2 are needed o the artiole
t~o b~ °~poe~.~. ~n order to ~.ee~ these reqW cements, sGlid-
stat~ lasers ;e.g. hd:'1AG, efv, ) aze cu_wer.tiy preferably
~,-:sedG 5'acn twcv-stare SysLe~S, ~,ahiGh reed =o ~e optically
p1'~h'.p~u '~5w.rg ~l~S~ ~32T.~:;~ :.~r semicord~cwo= laSe~B, drE
teGi:~j~_c~A~cg_cal_y el aborate and achp_eve corversior efficiencies
~~F cz~ly c =c, 15~. Further, lamp-ptA~p~ed sy5~er~as require a great
dea-~ ;~f mai~te~arce.
h=tn,~ugh diode lasers achieve the z-eu.uzsir_e pcGVer aensiti.es,
t:re rttaximum p~,wer ixl a sr~atiC.l'.~y ccherent mode As never:.heless
Orllyl'J.2 irJ Or, .ir. ~p_...L~)_r~a;,.lrJTi W-i~}'1 sEmiCOridL:~~:W
axCl~il'_flers
r
d.b t? t y. trl7 .
-1-
CA 02286774 1999-10-15

RC4' L3Y _, _ _ _ _ _ _ _ _ _ . __ _ 1 (i_ 15-99 : 1 Q : 0~~All1 ~ __. .. ._.
. ._ ~~'4~= i l -~ (1.1~ W1_flfv'(' & y3I GEAR : ~ :3
Kxlow 1 user devices zaith a re5~~x~.a~or are aesc;~'Abed ir: ~5-A-
4~5?~.?gl and EP-;: .c3 323.
T~:~e ~k~~ect of the pr.eseT.t i:we~zticn is t~~erefore to dei>elcp a
lace device vaitil ~n~hich. an increaseci rraxi~r4aa power ca:~. be
aczi ved v; r: a spa~iaily cc~~erent ~ncd.e.
Th~.s~ object is a::r_e ed by a ~,aser device accordinG ~.~, ,._
a i ~,
1.
Ir_ t~zs laser device, decoupled laser d=~od?s Gnrefexacl,~
sir:y e-mcde laser diodes , ~n:ic~~ are ver~J stable, are
I
ad.va~tag'evusiy used.
Furt~e~,, it -s particularly adva:atageous if t.ha pa°si°ue p-
~a:~ax
wacra~r~:ide stru;:Yure cap: '~e ,~rociucea mcnolithical-~ y on a single
rlcula~ing surface (rrahich car. be cccled during ope_rat=cn) , b~~
r:~eaz:~ :~i wrier: ~:oth hi.':~ aW gnmer:t accuracy and alsJ - in
part~c~a?ar because of the uniform temperaure d'_sfi,-~bution aT~
___
the ~empezature s~ab;~lity - high stability of the wa~reguides
c.ai~ ;~e achie~red.
Tn~e ~avegu_de structure -_s prefQrably produced in a planar
uyi~r d waveguide tech:~clogy te. y . SiC~ en ~i, diffused, icn~
exc.h need, prec~_p~ tatea .;lass; .
For urther cpt_r,~ization, p'_ar:a.r ,wer.ses a::d greting structures
:nay .e a~7plied tc the maur_ti::g surface in straichtforc~ls,r~a
_°aS,"~ on in aGidJ.t=C~. t0 the wa~rea~~iCie 5t-r'uG~;~~re.
Ad'ra~~g~O~.IS ~e'~lrien,ert5 4f tk'~e ~3.52'y de~.rice ~onStZt;~ue the
sub c~ matter of the subclair.~s.
CA 02286774 1999-10-15

RCS Bf:, , ___ __ __.___ 1()-15-~:3 :1l):Ua3.q41 ~ __...._..
_~'~':>4.3'2p1'107-> S;49RRT &,131GG~1R:~ 4
In a~ part-~ct~.l~,rly p'~eferred mxbodimer,t cf yhe laser d.ev~.,~e,
the aser dzode ax'ray has sv~n~l~~-;node ia.ser :~i~des and an
:~pti ~al de~T:.ce with brancred wa;regvides vs prPtr'~.ued. _aaer
_ad~_~tion of th.e ir_di~ridual laser diod~acan ne coup~.ed into
t~.e utter. Tre opt'-Ca''A arrangement co~~bines laser- radiation.
;:f tye ir:~di~Tidual ,_aser diodes, arary4d next to ozle ar_ot.r.er,
i~zto a runner s:~al ler char, t~~e nu~i:~eL of laser diodes, ~ r.
part~cv'_ar,~y into a single cutyat ,~~avegv.~:.de.
r__ mother p..artiYu~~a.rJ..w~ pie=erred e:abodimen-, t~~.e laser diode
arra~ ,gas mulYimr~~de -_a.ser di;,de3, in pa.rticuJ_ar ~~aide-stride
'_ase d~odes, and 1 ikewise an apt-ca'w cie~r'~ce with k;ranched
wave~,uides, x:vto ~n~h =c': laser radiarior. ef ~h.e individual laser
d.iod~s can be t~ou~led arid va~:icn~ cernb=ries this :.aser =ad_at~.on.
==-:to i a s~',aliei n'smber than ~'~.e _~_ur.,bex~ of laser dzc~des,
part :.~ular int~ a single cutp;~t w;~ve~uide. The single-zncde
nra ve aides have, a- the ends facing tYie laser diode array,
~a~.~e~ str~:ctures whw«h. transfer t:~e laser_ radio~icn cf the
wndi~~i;~t~a'~ la4er d~_ades as adiabata.ca__l~r a'~ possible i nto .'i.e
resp Ictively al lccate~.: s:~ngle-:~~ode v:aveHuide. Arra;~s of
mu~.t ~nede wide-stripe '_asers adUar;ta~~'eous_y aJ.J_ow very hint
s~.mf.~.ce newer de:~sw ties .
Ire b~tl: of t=.e cases fi.entioned aocve,- the cptica.l device i:as a
pref~ra,;o'~y binary tree-like branch structure. It i;, txowever,
also ncssible to -ase an~~ ether sT:.l b~~a:~oh strut~tuxe.
Tr_ a ~furtY~~er preferred refinement ~,f ire lasar cie;~Ace, the
outp~t ~~aveg~,zide o= ~Na~reg~,z.J_des eras cr ~.ave in addition a DFB
('-~~Sl~rl.b~:teC'~ F22d'lJaCk) gratiJl~x struCT~'..:rE? fOY'
iOnCf=thdll''AC'~~! ?TlOde
ae~.eq Lion.
'ire ~nve=aion describe: a~u~.~e .allows production va2~.i~~h is
~ornp c~ and, in parti.cr:=ar, favc;rable in terms of c.~ae,~ing
._ .j _
CA 02286774 1999-10-15

RCV 13Y_ _ , ___ __ __ .___1() ~25-'~a :1(>:0:3A~1 : 9,4!3'?01107.-> SwIAhT t~
B1GGAR:# p
_ _ _ _ . _ _ __. .. ._. . _ _. .__. .__. . _. . . __ _ _
tec'~yo'~c~gy, ct power =aser d~_odes wi ~h spatially ar.d
te:np~xal~.yi ccherer_t outp',;~t and therefore ma.:imai power
.-?er_s~r.=.Fs, for Fxaznple for materials pr:~cessir.g, pr=~ter
to ch ~ logy and. medical ap~:_~ icatiors . The planar or~twcal
.peso a.tar couples ~:~e am=scion, c~f the :.n~.wvidual emitters
tlas r d-'~c~..es) coheren.t~!y into a sinnle-mode ~;aveguide at th_a
cuCp't of rye resonator.
A''1 a~~vantageous e~~bodimerit Uf the =nvet~tion is represented in
~igule 7. Refirermr_ts c~f the laser device will ~~e e~;plained in
more~deta.:~a ;nri~h refex'°n~:e to Fi ores ~ t.n ~ i.~
'~ ~- . n ~w:a~ch:
Fir-a~e i si:ows a schematic =epresentati~~r_ :.f a laser diode
I
axray ~n an a}ite-nal reson~.~or,
..'_g~;ie ~ shows a sche:rati,~ representation of a lace= d~_ode
i
a=rah in a:~ exterz:al resonator wa.tka a mode-~i~~.-eying devi~r.e,
F'igu~e 3 shows a schemar~.c: representatzor. of a laser dEVice,
~ig~zzte 4 shows a sc~~~er.!atic representation: of a laser d.ev~co,
Flc~u~e 5 st'!O'~,'.~ ~ ~Ch~Ii~.at~C ~'2p~2SBI1=3TiGT ~;f a laser d2viGe,
c~.gu~e 6 shows a schematic .~epxesentatior. of a 'user de;Tice,
pir~~~e ? shows a sc'~~ez;,~.at;_c =epreseratatien ~f a laser de-ice
a~co~ding to ar: i1_.ustrat_ve errbodimer~t of I=.-re in~.,entior_.
I~: t_ a fi.~,ares, parts Nyic~ ara ~_ze sa:r~e cr havE t~~e sarr,e
e'fte~t are alT~aays give:, the carve refezences.
Iz~_ ~re arrargezren t of figure 1, a laser diode arra~l l, for
s ~itl~ '.rJi.
exarn ale & power ~ ; ~dl:c~~__ '_35er ~iicde arra_7, c~W~~G:-: ,~5
CA 02286774 1999-10-15

RCL 1'sY _. _ _. _ _ _ _ _ . _ _ _ _ . _ _ _ 1 ~o-_L 'w'i'g : 1 O : y;AM : __.
.. ._. . _ '1~~ Eo? 1 1.01- Sh1AR'r & , B t GGAR : # 6
r:rov~~'ed On ~n~.y cT:.e _resor_atC~x side with a resonator _nirrc~
-a~'el~, is arranged ir_ a: external optical reso.aatar. T~r~e
ex-e~nal opti~~a'- reson at..~.Y rc.ay be produced it free-radz,atior_
tec.h~aioav or in p~axar wavegua.de tech nology, and may
.~pti~r~aliy ce pr,~~.rided wi th a prAase plate for correcting the
x,ras~ fronts. '
In t~e arrazger::er_t of Fig-are 2, t:r~.e external op~ical rescz~zatar
is p~ovi3ed, for mote selectio.°i, with a m.~de diaphragm (for
ex~;,r" ~e a .sing' e-znccie fiber', which ~r.a~~ be proG'.~ced either in
t:~e peso: ator or in connection w,_th a resonator ~r,irrcr.
Acco~d,_ng .c :'figure 3, a sir_g1e-mace ~~aser dude array 1 is
ccup~ed -_n a pas,swve sirgie-mode ~t~a.veguide plate 2. the
sirg~e-uicde wwreguide plate :~.as a passive planar sit:gle-r.~ode
waz~e~uide branc'~ strucrure 6 in tre ~orm cf a binar~~ branch
Free ~of single-mode wavegW des ?, ;~hich, starting fron a
si nc a o-a~.yu'.: wat~eg~aide 4, spa its In ;'.he dire.~tir,z~ oz tte
-ase~ dlG~6' array 1 ir_to ,~ ~,~"~~e,r of single-mode wave guides 7
~~~~a.c~. correspomds to ~~_e _iurvber of indivi ".a'- laser diodes c.f
the ~aspr diode array 1. Here, the laser JJe~,Illu cf the
i.nai~~idual laser diodes, arranged = ext t~ owe a~xot~:er, of the
las~:~ diode array ~, are coherently ca'ap:~ed -oy means of a
pl-ar~'_i~.y of binary ~rancres 3 ~.nto a. single output watecuide
4. I
lr. F~gvare 4. a mvltin.ode laser diode array 1 is likewi se
cou~a~ed to a passi'.re single-mode w°°a~,regride prate 2 ~-
~aving a
z~as°~ve planar sir_gle-mode wa~reguide braucr~ structure 6 which,
_:~ p~inCiple, correspo:rds to that of Fi gura 3 . the sirxgle-~r.ode
I
,..~a~Je~'u.~_des each have, r_owever, at their ends faci:~g the laser
diced array ~a, a +~aper structure 5 wrio.h '~ransfers the ernitted
lase radiat:_on of tre respect'_ve-m°y associated individuaw
lace diode _:~tc the sz.rgle-mode waveguide % assi~~ried thereto.
-5-
CA 02286774 1999-10-15

RCV BY:, _ , _ __ _ __ __.__- lu-_15-9~) :1~):Oa3,W1 : 954:3.>5L101 % S~1ART
t~ >SIGG_AR:# 7
_ _. _ . _ _ _ __ . ._. ._ _. .__. .__. .... . . ._._ _
In ~ _e iwl'aStraCive errbod?merrt of F,~gt~xe 5r whic:r in principle
c~az;~ spond.s to the ~ili:.5r=ative em~cdin'.en. o~ Figure y a 7FB
Brat ~ng ,tructwre v_s add--tiox:ally arra~gec or: the outp~:r
ware ui,de 4, b~ rucaris o' wrt-~~~h single-mode c,perafi_ior~ :~s
a~i~.i~v ed .
Tr_. ~~G~lre H, the wa~~egui~.e5 additionally have phase sk'~Afters
~~ 0 a d the resora tox fur thermore coatair s at J, ease C~ne
i
abso~b ing medwam ~ 1 zcr !.ode sel?ctJ.._~.r_. These tw~:, CCmpon2zas,
p~zas I a~aifter '_~ and abscrbi:~r~ medi~~,r~ :~~~., may be used entirely
indeer_denT~~y cf cne another, so that it is seJ_e~~tivei
Y
p5ss~~n~.e t~ pr~dUCe onl ~Yr ~-
y .e o= bcth of _hese C-a~r>por_ents .
the ~J_J_ustrative em~~,:vdixne~~Y acccrdr_=g to the ir:~tention cf
Fig~;~e - .'ms, for mode sele~::tion, c~~v°ved sir_g-~e-mode
gave aides , which com.i~ine the laser ra,diatior: to a piura~ ,.tx°
cf o , as shYw;~ izz t:_a_ figure, to a s'iryie outp~it wa=aPgGi de 4.
i
I
ir: C~der tc reduce C.ovp_v_ng ;.osses an~:~ ba:: k-~_ef;i_eo-tians
~>etw~ar_ the lineaw away _~f iassr diodes 1 and the nassiae
-
plan~.r w~aveg'aide strv:.ctvre 5, Y~.e wa~ve.gui des 7 andi ur the
lase~ dioc.es r.'.ay be widened ~~y adia'~at,_ cc. ;-a:::ers and/or the
wide.~ec: :.cupling ~aoCation is arranged ooiiquely with ~_espec=
~O t~'~.° Cpt~C~l 3X_v 4 f ~~".~ l~Ser ,~~~,'1G~: eS .
it1 ~ ~~l:Wtiler re ~ " S r t. , C ~Oi'ldtG_ '.1_..
p ter_ed '.~a a deL°i, w tile pt,-;~a'~ re
I
a p~~.~sa riate or indis~idualiy aajustable planar-optica~~. phase
i
s_~y~' era Gn Che Single-:node wave~.~uiaes or the user diode.a fcx
ccrr~cti.rlg phase frC:-,ts.
CA 02286774 1999-10-15

Dessin représentatif
Une figure unique qui représente un dessin illustrant l'invention.
États administratifs

2024-08-01 : Dans le cadre de la transition vers les Brevets de nouvelle génération (BNG), la base de données sur les brevets canadiens (BDBC) contient désormais un Historique d'événement plus détaillé, qui reproduit le Journal des événements de notre nouvelle solution interne.

Veuillez noter que les événements débutant par « Inactive : » se réfèrent à des événements qui ne sont plus utilisés dans notre nouvelle solution interne.

Pour une meilleure compréhension de l'état de la demande ou brevet qui figure sur cette page, la rubrique Mise en garde , et les descriptions de Brevet , Historique d'événement , Taxes périodiques et Historique des paiements devraient être consultées.

Historique d'événement

Description Date
Inactive : CIB désactivée 2011-07-29
Inactive : CIB de MCD 2006-03-12
Inactive : CIB dérivée en 1re pos. est < 2006-03-12
Inactive : CIB de MCD 2006-03-12
Inactive : CIB de MCD 2006-03-12
Inactive : CIB de MCD 2006-03-12
Le délai pour l'annulation est expiré 2004-04-14
Demande non rétablie avant l'échéance 2004-04-14
Réputée abandonnée - omission de répondre à un avis sur les taxes pour le maintien en état 2003-04-14
Lettre envoyée 2001-04-11
Exigences pour une requête d'examen - jugée conforme 2001-03-21
Toutes les exigences pour l'examen - jugée conforme 2001-03-21
Requête d'examen reçue 2001-03-21
Inactive : Page couverture publiée 1999-12-02
Inactive : CIB en 1re position 1999-11-30
Lettre envoyée 1999-11-18
Lettre envoyée 1999-11-18
Inactive : Notice - Entrée phase nat. - Pas de RE 1999-11-18
Demande reçue - PCT 1999-11-15
Demande publiée (accessible au public) 1998-10-29

Historique d'abandonnement

Date d'abandonnement Raison Date de rétablissement
2003-04-14

Taxes périodiques

Le dernier paiement a été reçu le 2002-03-21

Avis : Si le paiement en totalité n'a pas été reçu au plus tard à la date indiquée, une taxe supplémentaire peut être imposée, soit une des taxes suivantes :

  • taxe de rétablissement ;
  • taxe pour paiement en souffrance ; ou
  • taxe additionnelle pour le renversement d'une péremption réputée.

Les taxes sur les brevets sont ajustées au 1er janvier de chaque année. Les montants ci-dessus sont les montants actuels s'ils sont reçus au plus tard le 31 décembre de l'année en cours.
Veuillez vous référer à la page web des taxes sur les brevets de l'OPIC pour voir tous les montants actuels des taxes.

Historique des taxes

Type de taxes Anniversaire Échéance Date payée
Enregistrement d'un document 1999-10-15
Taxe nationale de base - générale 1999-10-15
TM (demande, 2e anniv.) - générale 02 2000-04-14 2000-03-16
Requête d'examen - générale 2001-03-21
TM (demande, 3e anniv.) - générale 03 2001-04-17 2001-04-17
TM (demande, 4e anniv.) - générale 04 2002-04-15 2002-03-21
Titulaires au dossier

Les titulaires actuels et antérieures au dossier sont affichés en ordre alphabétique.

Titulaires actuels au dossier
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Titulaires antérieures au dossier
BRUNO ACKLIN
GUSTAV MULLER
JOHANN LUFT
KARL-HEINZ SCHLERETH
Les propriétaires antérieurs qui ne figurent pas dans la liste des « Propriétaires au dossier » apparaîtront dans d'autres documents au dossier.
Documents

Pour visionner les fichiers sélectionnés, entrer le code reCAPTCHA :



Pour visualiser une image, cliquer sur un lien dans la colonne description du document. Pour télécharger l'image (les images), cliquer l'une ou plusieurs cases à cocher dans la première colonne et ensuite cliquer sur le bouton "Télécharger sélection en format PDF (archive Zip)" ou le bouton "Télécharger sélection (en un fichier PDF fusionné)".

Liste des documents de brevet publiés et non publiés sur la BDBC .

Si vous avez des difficultés à accéder au contenu, veuillez communiquer avec le Centre de services à la clientèle au 1-866-997-1936, ou envoyer un courriel au Centre de service à la clientèle de l'OPIC.


Description du
Document 
Date
(aaaa-mm-jj) 
Nombre de pages   Taille de l'image (Ko) 
Dessin représentatif 1999-12-01 1 9
Abrégé 1999-10-14 1 12
Description 1999-10-14 6 243
Revendications 1999-10-14 2 61
Dessins 1999-10-14 3 53
Rappel de taxe de maintien due 1999-12-14 1 111
Avis d'entree dans la phase nationale 1999-11-17 1 193
Courtoisie - Certificat d'enregistrement (document(s) connexe(s)) 1999-11-17 1 115
Courtoisie - Certificat d'enregistrement (document(s) connexe(s)) 1999-11-17 1 115
Accusé de réception de la requête d'examen 2001-04-10 1 178
Courtoisie - Lettre d'abandon (taxe de maintien en état) 2003-05-11 1 176
PCT 1999-10-14 13 397